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SI1012X-T1-GE3 MOSFET Canal N 20V 600mA Encapsulamento SC-89 SMD

Código: 29818 Marca: Vishay Siliconix

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🔌 Transistor MOSFET SI1012X-T1-GE3 Canal N 20V 600mA SC-89 SMD

O SI1012X-T1-GE3 da Vishay Siliconix é um MOSFET de canal N (N-Channel) compacto e eficiente, ideal para aplicações de baixa potência e dispositivos portáteis. Projetado para operar com baixa tensão (20V) e corrente de até 600mA, oferece excelente desempenho com baixo RDS(on) e rápida comutação.

Seu encapsulamento SC-89 SMD proporciona economia de espaço em placas eletrônicas, sendo amplamente utilizado em projetos miniaturizados e de alta densidade.

⚙️ Principais Características Técnicas

Tipo: MOSFET Canal N (N-Channel)
Tensão Dreno-Source (Vds): 20V
Corrente de Dreno (Id): 600mA (0.6A)
Baixa resistência RDS(on) (maior eficiência)
Encapsulamento: SC-89 (SMD)
Alta velocidade de chaveamento
Baixo consumo de energia
Ideal para circuitos de baixa potência

🚀 Aplicações Comuns

Dispositivos portáteis e wearables
Circuitos de controle e chaveamento
Gerenciamento de energia (Power Management)
Conversores DC-DC compactos
Equipamentos embarcados
Projetos com microcontroladores

💡 Vantagens do SI1012X-T1-GE3

✔ Tamanho reduzido ideal para placas compactas
✔ Alta eficiência com baixo consumo
✔ Excelente desempenho em baixa tensão
✔ Confiabilidade da marca Vishay
✔ Ótimo custo-benefício para produção em escala

📦 Informações Adicionais

Código: SI1012X-T1-GE3
Marca: Vishay Siliconix
Categoria: Transistores / MOSFETs
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Encapsulamento: SC-89

📄 Datasheet (Ficha Técnica)

Para especificações completas e curvas detalhadas, acesse o datasheet oficial:
🔗 https://octopart.com/pt/datasheet/vishay/SI1026X-T1-GE3

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