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SI4483ADY-T1-GE3 MOSFET P-Channel 30V 19,2A Encapsulamento SO-8 SMD

Código: SLC192 Marca: Vishay Siliconix

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O Transistor MOSFET SI4483ADY-T1-GE3 da Vishay Siliconix é um MOSFET de potência em encapsulamento SO-8 SMD, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico de alta eficiência. Com tensão máxima de 30V, corrente de até 19,2A e baixa resistência RDS(on), oferece excelente desempenho, menor dissipação de potência e alta confiabilidade em projetos eletrônicos.

Fabricado com tecnologia avançada da Vishay Siliconix, o SI4483ADY-T1-GE3 é amplamente utilizado em fontes chaveadas, conversores DC-DC, gerenciamento de energia, circuitos automotivos, controle de motores, acionamento de cargas, notebooks, equipamentos industriais e diversos projetos de eletrônica embarcada. Seu encapsulamento SO-8 para montagem em superfície (SMD) proporciona montagem prática, alta densidade de componentes e excelente desempenho térmico.

Ideal para profissionais, estudantes, desenvolvedores e fabricantes de equipamentos eletrônicos que buscam um MOSFET de alta qualidade, eficiência energética e confiabilidade.

Características Técnicas

Produto: Transistor MOSFET
Part Number: SI4483ADY-T1-GE3
Marca: Vishay Siliconix
Tipo: MOSFET de Potência
Canal: P-Channel (Canal P)
Tensão Dreno-Source (VDS): 30V
Corrente de Dreno (ID): 19,2A
Baixa Resistência RDS(on): Sim
Encapsulamento: SO-8
Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Tecnologia: TrenchFET®
Condição do Produto: Novo

Aplicações

Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores DC-DC
Gerenciamento de energia (Power Management)
Controle e acionamento de motores
Circuitos de chaveamento eletrônico
Equipamentos industriais
Equipamentos automotivos
Notebooks e computadores
Placas eletrônicas em geral
Projetos de automação e eletrônica embarcada

Datasheet: Clique aqui para abrir o link do Datasheet

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