O Transistor MOSFET IRF840A é um MOSFET de potência canal N, fabricado pela Vishay Siliconix, desenvolvido para aplicações de chaveamento de potência e conversão de energia. O componente possui tensão máxima Drain-Source de 500 V e corrente contínua de dreno de até 8 A, sendo indicado para circuitos que necessitam de chaveamento de alta tensão.
O IRF840A apresenta RDS(on) máximo de 0,85 Ω, carga total de gate de 38 nC e características de robustez para aplicações de chaveamento. Seu projeto permite acionamento com tensão de gate de 10 V e oferece características adequadas para fontes chaveadas e outros circuitos de potência.
Com encapsulamento TO-220AB e montagem PTH (Through Hole), o IRF840A é uma solução prática para placas de circuito impresso e equipamentos eletrônicos que utilizam MOSFETs de potência. A Vishay indica aplicações como fontes chaveadas (SMPS), sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e chaveamento de alta velocidade.
O IRF840A pode ser utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), sistemas UPS, conversores de potência, circuitos de chaveamento de alta tensão, equipamentos industriais e aplicações de controle de energia.
Sua tensão de bloqueio de 500 V e capacidade de corrente de até 8 A tornam o componente adequado para aplicações que necessitam de um MOSFET de potência canal N para chaveamento de alta tensão.
Datasheet oficial Vishay – IRF840A:
Acessar Datasheet IRF840A na Vishay
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