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Transistor 2SK2776 MOSFET N-Channel 500V 8A

Código: 11861 Marca: Toshiba

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET 2SK2776 500V 8A TO-220FL/SM, da Toshiba, é um transistor de potência MOSFET canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão, conversão de energia e controle de cargas.

O 2SK2776 utiliza tecnologia π-MOSV e apresenta tensão máxima dreno-fonte de 500 V, corrente contínua de dreno de até 8 A e baixa resistência de condução, sendo indicado para aplicações que exigem capacidade de chaveamento e operação em circuitos de potência.

O componente apresenta RDS(on) típico de 0,75 Ω, contribuindo para reduzir as perdas durante a condução. Seu funcionamento em modo de enriquecimento (Enhancement Mode) permite o controle do dispositivo através da tensão aplicada ao terminal Gate.

O 2SK2776 foi desenvolvido para aplicações como reguladores Chopper, conversores DC-DC, acionamento de motores e circuitos de chaveamento de alta tensão, sendo uma opção adequada para equipamentos eletrônicos de potência e aplicações de manutenção e reposição.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de Potência
Marca: Toshiba
Part Number: 2SK2776
Tipo: MOSFET Canal N (N-Channel)
Modo de operação: Enhancement
Tecnologia: π-MOSV
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 500 V
Corrente contínua de dreno (ID): 8 A
RDS(on) típico: 0,75 Ω
RDS(on) máximo: 0,85 Ω
Transcondutância direta (|Yfs|): 7,0 S típico
Corrente de fuga IDSS: 100 µA máx.
Tensão Gate-Source: conforme especificações do fabricante
Dissipação de potência: 65 W
Encapsulamento: TO-220FL/SM
Montagem: PTH / Through Hole
Aplicações: Reguladores Chopper, conversores DC-DC, acionamento de motores, fontes de alimentação, circuitos de chaveamento de alta tensão e aplicações de potência.

📄 DATASHEET

2SK2776 – Silicon N-Channel MOS Type π-MOSV – Toshiba

Datasheet 2SK2776 – Toshiba

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