Transistor MOSFET N-Channel 8N80 (FQPF8N80C) 800V 8A TO-220F Isolado

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Descrição Otimizada – FQPF8N80C ON Semiconductor / Fairchild

O FQPF8N80C é um MOSFET N-Channel de alta tensão desenvolvido pela ON Semiconductor (antiga Fairchild), ideal para aplicações que exigem eficiência, confiabilidade e excelente desempenho elétrico. Com tensão suportada de 800V, corrente de 8A e encapsulamento TO-220F (fullpack isolado), este transistor é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), PFC, drivers, inversores, carregadores, fontes industriais e sistemas de potência.

Seu encapsulamento isolado elimina a necessidade de mica, facilitando a montagem e garantindo excelente desempenho térmico. Além disso, apresenta baixa RDS(on), chaveamento rápido e alta robustez contra tensões transientes, garantindo maior durabilidade e estabilidade em projetos eletrônicos exigentes.


Principais Características

  • Tipo: MOSFET N-Channel

  • Tensão de dreno-fonte (Vds): 800V

  • Corrente contínua (Id): 8A

  • Encapsulamento: TO-220F (isolado, fullpack)

  • Baixa RDS(on)

  • Alta eficiência em comutação

  • Aplicação em fontes de alimentação, conversores, drivers e etapas de potência


Aplicações Comuns

  • Fontes chaveadas (SMPS)

  • Inversores e conversores DC-DC

  • Circuitos de alta tensão

  • Equipamentos industriais

  • Carregadores e fontes de bancada

  • PFC e módulos de energia


Datasheet Oficial

📄 Datasheet ON Semiconductor / Fairchild – FQPF8N80C
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fqpf8n80c-d.pdf


Resumo Curto SEO do FQPF8N80C:

MOSFET FQPF8N80C ON Semiconductor/Fairchild, N-Channel 800V 8A, encapsulamento TO-220F isolado, ideal para fontes chaveadas, conversores e aplicações de alta tensão.

FQPF8N80C F Q P F 8 N 8 0 C FQ PF 8N 80 C FQPF 8N80 C F QPF8 N80C FQ PF8 N80 C FQPF8 N 80C F Q P F 8 N 8 0 C

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