IGBT Power Module MG200Q2YS40 Toshiba – 1200V 200A Half-Bridge

Código: 31572 Marca: Toshiba

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🧩 Descrição do Produto – Módulo IGBT MG200Q2YS40 Toshiba 1200V 200A

O MG200Q2YS40 da Toshiba é um módulo IGBT de alta potência projetado para aplicações que exigem alta eficiência, confiabilidade e robustez térmica. Com capacidade de 200A e tensão máxima de 1200V, este módulo é amplamente utilizado em inversores de frequência, acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação comutada, sistemas UPS e controladores de potência.

Desenvolvido com tecnologia Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) combinada com diodos de roda livre integrados, o MG200Q2YS40 oferece baixa perda de condução, comutação rápida e excelente desempenho térmico, permitindo operação estável mesmo em condições severas de carga.
Seu encapsulamento de alta dissipação térmica garante durabilidade e eficiência energética em aplicações industriais e automação.

⚙️ Características Técnicas Principais:

Modelo: MG200Q2YS40
Fabricante: Toshiba
Tipo: Módulo IGBT de Potência (Half-Bridge)
Corrente Coletor: 200A
Tensão Coletor-Emissor (Vce): 1200V
Configuração: Half-Bridge com diodos integrados
Isolamento: Total entre o circuito e a base metálica
Aplicações típicas: Inversores, conversores de energia, controle de motores, UPS, automação industrial
Montagem: Parafusada com excelente condutividade térmica

💡 Diferenciais e Benefícios:

Alta eficiência energética e baixa dissipação de calor
Desempenho confiável em altas correntes
Montagem robusta e fácil substituição
Reduz perdas por comutação e melhora estabilidade térmica
Compatível com projetos de retrofit industrial

🔗 Datasheet Oficial Toshiba:

📘 Baixar Datasheet MG200Q2YS40 - Toshiba (PDF)

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