IGBT Power Module MG200Q2YS50 1200V 200A Mitsubishi Electric

Código: 31573 Marca: Toshiba

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🟢 Descrição SEO Otimizada – Módulo IGBT MG200Q2YS50 | Toshiba

O MG200Q2YS50 da Toshiba é um módulo IGBT de alta potência desenvolvido para aplicações industriais que exigem alta corrente (200A) e tensão de operação até 1200V. Este módulo combina eficiência energética, robustez térmica e confiabilidade, sendo amplamente utilizado em inversores de frequência, drivers de motor, UPS, conversores e sistemas de controle de potência.

O design interno do MG200Q2YS50 incorpora duas unidades IGBT em configuração half-bridge, permitindo menor perda de comutação e maior desempenho em alta frequência. Seu encapsulamento isolado garante excelente dissipação térmica, ideal para ambientes industriais e aplicações contínuas.

✅ Características principais:

Tipo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Corrente nominal: 200A
Tensão máxima: 1200V
Configuração: Half-Bridge Dual IGBT
Baixa perda de condução e comutação
Isolamento elétrico e excelente dissipação térmica
Montagem: Parafusada com base metálica
Aplicações: Inversores industriais, UPS, fontes chaveadas, controle de motores, conversores AC/DC

📄 Datasheet (Toshiba Semiconductor):
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13427&prodName=MG200Q2YS50

🧠 Meta descrição SEO (até 160 caracteres):
MG200Q2YS50 Toshiba – Módulo IGBT 1200V 200A half-bridge de alta potência. Ideal para inversores, UPS e controle de motores industriais.

MG200Q2YS50 M G 2 0 0 Q 2 Y S 5 0 MG 200Q2YS50 MG2 00Q2YS50 MG20 0Q2YS50 MG200 Q2YS50 MG200Q 2YS50 MG200Q2 YS50 MG200Q2Y S50 MG200Q2YS 50 M G200 Q2 Y S5 0