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Transistor NPN 2SD2060 80V 4A Encapsulamento TO-220F

Código: 15362 Marca: Renesas Electronics Corporation

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Transistor 2SD2060 NPN 80V 4A TO-220F PTH (D2060) – Renesas Electronics Corporation

O 2SD2060 é um transistor bipolar de potência NPN (BJT) desenvolvido para aplicações eletrônicas de uso geral. Possui encapsulamento TO-220F, montagem PTH (Through-Hole) e capacidade de trabalhar com tensão coletor-emissor de até 80V e corrente de coletor de até 4A.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Fabricante informado: Renesas Electronics Corporation
• Modelo: 2SD2060 / D2060
• Tipo: Transistor Bipolar de Potência (BJT)
• Polaridade: NPN
• Tensão coletor-emissor (VCEO): 80V
• Tensão coletor-base (VCBO): 80V
• Tensão emissor-base (VEBO): 5V
• Corrente de coletor (IC): 4A
• Corrente de base (IB): 0,4A
• Dissipação de potência: Até 25W (TC = 25°C)
• Encapsulamento: TO-220F
• Montagem: PTH / Through-Hole
• Temperatura de junção: Até 150°C
• Terminais: Base, Coletor e Emissor

⚡ CARACTERÍSTICAS

O 2SD2060 é um transistor NPN de potência com tensão coletor-emissor de 80V e corrente máxima de coletor de 4A. Seu encapsulamento TO-220F proporciona uma construção adequada para aplicações que necessitam de um componente de potência com montagem através de furos na placa.

O componente apresenta tensão de saturação coletor-emissor de até 1,7V nas condições especificadas de IC = 3A e IB = 0,3A.

🔧 APLICAÇÕES

• Circuitos de potência
• Fontes de alimentação
• Circuitos de chaveamento
• Controle de cargas
• Amplificadores
• Equipamentos eletrônicos
• Circuitos de uso geral
• Projetos com transistores BJT NPN

🔎 PALAVRAS-CHAVE

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