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MOSFET 2SJ651 J651 Canal P 60V 20A TO-220 PTH

Código: 12824 Marca: ST

~~R$ 35,00~~ R$ 22,75

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📋 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor 2SJ651 (J651) é um MOSFET de potência P-Channel, indicado para aplicações de chaveamento e conversão de energia. O componente possui tensão dreno-fonte de até 60 V e corrente contínua de dreno de até 20 A, oferecendo baixa resistência de condução e alta velocidade de chaveamento.

O 2SJ651 apresenta RDS(on) máximo de 60 mΩ com VGS = -10 V e pode ser acionado com tensão de gate reduzida, sendo adequado para circuitos de conversão DC/DC e outras aplicações de controle de potência. Seu encapsulamento TO-220 PTH permite montagem Through-Hole e facilita a utilização de dissipadores de calor.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Marca no cadastro: ST
Modelo / Part Number: 2SJ651
Código de marcação: J651
Tipo: MOSFET de potência
Canal: P-Channel
Tensão Dreno-Fonte (VDS): -60 V
Corrente de Dreno (ID): -20 A
Corrente de Dreno pulsada (IDP): -80 A
RDS(on): máx. 60 mΩ @ VGS = -10 V
RDS(on): máx. 92 mΩ @ VGS = -4 V
Tensão Gate-Source: ±20 V
Potência de dissipação: até 25 W @ TC = 25 °C
Temperatura de junção: até +150 °C
Tecnologia: MOSFET de potência
Encapsulamento: TO-220ML / TO-220
Montagem: PTH / Through-Hole
Número de terminais: 3
Pinagem: Gate, Drain, Source

Os valores de corrente pulsada, resistência de condução e tensão máxima são baseados na documentação técnica do 2SJ651.

⚙️ APLICAÇÕES

O 2SJ651 é indicado para aplicações de chaveamento e controle de potência, incluindo:

Conversores DC/DC
Fontes de alimentação chaveadas
Circuitos de chaveamento de potência
Controle de cargas
Drivers de potência
Sistemas de gerenciamento de energia
Equipamentos eletrônicos industriais
Circuitos alimentados por bateria
Reparação e manutenção de fontes e placas eletrônicas

A documentação original do componente especifica o 2SJ651 para aplicações em conversores DC/DC, destacando o baixo RDS(on), chaveamento ultrarrápido e acionamento com 4 V.

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