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MOSFET 2SK3529 K3529 Canal N 800V 7A TO-220 PTH

Código: 12726 Marca: ST

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📋 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET 2SK3529 TO-220 PTH (K3529), da ST, é um MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão, conversão de energia e controle de potência.

O componente possui tensão máxima Dreno-Fonte de 800 V e corrente de dreno contínua de até 7 A, com RDS(on) máximo de 1,9 Ω. Também apresenta alta velocidade de comutação, baixa potência de acionamento e proteção contra avalanche, sendo indicado para aplicações que exigem operação confiável em circuitos de alta tensão.

Seu encapsulamento TO-220AB, com montagem PTH (Through-Hole), facilita a instalação em placas eletrônicas e permite a utilização de dissipador de calor em aplicações que demandam maior capacidade de dissipação térmica.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de Potência
Marca: ST
Modelo: 2SK3529
Código: K3529
Tipo: MOSFET N-Channel
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 800 V
Corrente de Dreno (ID): 7 A
Corrente de Dreno Pulsada: 28 A
RDS(on): até 1,9 Ω
Tensão Gate-Source (VGS): ±30 V
Energia máxima de avalanche: 235,3 mJ
Dissipação de potência: até 195 W com temperatura de case de 25 °C
Temperatura de junção: até +150 °C
Número de canais: 1
Encapsulamento: TO-220AB
Número de pinos: 3
Montagem: PTH / Through-Hole
Configuração: MOSFET com diodo interno

⚙️ APLICAÇÕES

Fontes de alimentação chaveadas
Reguladores de comutação
Conversores DC-DC
UPS / No-Break
Conversores de potência
Circuitos de chaveamento de alta tensão
Controle de cargas
Equipamentos eletrônicos de potência

O fabricante especifica o 2SK3529-01 para switching regulators, UPS e conversores DC-DC, destacando alta velocidade de comutação, baixa resistência de condução, baixa potência de acionamento e capacidade de avalanche.

📄 DATASHEET

Datasheet 2SK3529-01 – Fuji Electric:
Datasheet 2SK3529-01 – Fuji Electric

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