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11N80C3 MOSFET Canal N 800V 11A Encapsulamento TO-247

Código: 15630 Marca: Vishay

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Transistor 11N80C3 TO-247 (PTH) – MOSFET de Potência

O 11N80C3 é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia. Com capacidade de bloqueio de até 800 V e corrente de dreno de até 11 A, apresenta encapsulamento TO-247 para montagem PTH (Through Hole).

É indicado para aplicações de fontes chaveadas (SMPS), conversores de potência, circuitos de comutação, correção do fator de potência (PFC) e outros sistemas eletrônicos que necessitam de um MOSFET de alta tensão.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: 11N80C3
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N (N-Channel)
• Tensão dreno-fonte (VDS): 800 V
• Corrente de dreno (ID): até 11 A
• RDS(on): até 0,45 Ω
• Tensão gate-source: ±20 V
• Encapsulamento: TO-247
• Montagem: PTH / Through Hole
• Número de pinos: 3
• Tecnologia: CoolMOS C3
• Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C

🔧 CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potência de alta tensão
• Canal N
• Tensão máxima de 800 V
• Corrente de dreno de até 11 A
• Baixa resistência de condução
• Baixa carga de gate
• Encapsulamento TO-247 para montagem PTH
• Indicado para aplicações de chaveamento de potência

⚙️ APLICAÇÕES

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Conversores de potência
• Circuitos de chaveamento
• Correção do fator de potência (PFC)
• Fontes industriais
• Sistemas de conversão de energia
• Equipamentos eletrônicos de potência

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