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Transistor MOSFET N-Channel 800V 11A SPA11N80C3 TO-220FP Through Hole

Código: 14612 Marca: Infineon

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Transistor MOSFET SPA11N80C3 N-Channel 800V 11A TO-220FP PTH Isolado – Infineon

O SPA11N80C3 é um transistor MOSFET de potência N-Channel da Infineon, pertencente à família CoolMOS C3, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão e fontes de alimentação. Possui tensão máxima dreno-fonte (VDS) de 800 V, corrente de dreno de até 11 A e resistência máxima de condução RDS(on) de 0,45 Ω a 25 °C.

Seu encapsulamento PG-TO220-3 / TO-220FP FullPAK possui isolamento elétrico, sendo adequado para montagem PTH (Through Hole). O datasheet especifica isolamento de até 2500 VAC por 1 minuto.

🔧 Características Técnicas

Fabricante: Infineon Technologies
Modelo: SPA11N80C3
Tipo: MOSFET de potência
Polaridade: N-Channel
Tecnologia: CoolMOS C3
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 800 V
Corrente de Dreno (ID): 11 A
RDS(on) máximo: 0,45 Ω
Potência dissipada: 34 W (TC = 25 °C)
Tensão Gate-Source: ±20 V
Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: PG-TO220-3 / TO-220FP
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento isolado: Sim
Isolamento: 2500 VAC / 1 minuto
RoHS: Conforme especificação do fabricante

⚡ Aplicações

O SPA11N80C3 foi desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão, incluindo fontes de alimentação e circuitos industriais com alta tensão DC. A Infineon também destaca sua utilização em aplicações de switching, como active clamp forward.

📄 Datasheet

Datasheet oficial Infineon – SPA11N80C3:
Acessar Datasheet SPA11N80C3

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