O Transistor IXFH21N50 TO-247-3 (PTH) da IXYS é um MOSFET de potência Canal N, desenvolvido para aplicações de alta tensão e alta eficiência em sistemas de conversão de energia. Com tensão máxima Dreno-Source (VDS) de 500V e corrente contínua de dreno de até 21A, este dispositivo oferece excelente desempenho em aplicações de chaveamento rápido, fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC e equipamentos industriais.
Fabricado com tecnologia HiPerFET™ da IXYS, o IXFH21N50 apresenta baixa resistência de condução (Low RDS(on)), reduzidas perdas de comutação, alta velocidade de operação e excelente desempenho térmico. Essas características proporcionam maior eficiência energética, menor aquecimento e elevada confiabilidade em aplicações de potência.
Seu encapsulamento TO-247-3 (PTH) proporciona elevada capacidade de dissipação térmica, permitindo a utilização com dissipadores de calor em projetos que operam com altas correntes e tensões. É amplamente empregado em equipamentos industriais, inversores solares, fontes de alimentação, sistemas UPS, acionamento de motores e equipamentos de automação.
Produzido pela IXYS (Littelfuse), referência mundial em semicondutores de potência, o IXFH21N50 é uma excelente escolha para projetos que exigem robustez, confiabilidade e alto desempenho.
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