O Transistor IXFH21N50 TO-247-3 (PTH) da IXYS Ă© um MOSFET de potĂȘncia Canal N, desenvolvido para aplicaçÔes de alta tensĂŁo e alta eficiĂȘncia em sistemas de conversĂŁo de energia. Com tensĂŁo mĂĄxima Dreno-Source (VDS) de 500V e corrente contĂnua de dreno de atĂ© 21A, este dispositivo oferece excelente desempenho em aplicaçÔes de chaveamento rĂĄpido, fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC e equipamentos industriais.
Fabricado com tecnologia HiPerFETâą da IXYS, o IXFH21N50 apresenta baixa resistĂȘncia de condução (Low RDS(on)), reduzidas perdas de comutação, alta velocidade de operação e excelente desempenho tĂ©rmico. Essas caracterĂsticas proporcionam maior eficiĂȘncia energĂ©tica, menor aquecimento e elevada confiabilidade em aplicaçÔes de potĂȘncia.
Seu encapsulamento TO-247-3 (PTH) proporciona elevada capacidade de dissipação térmica, permitindo a utilização com dissipadores de calor em projetos que operam com altas correntes e tensÔes. à amplamente empregado em equipamentos industriais, inversores solares, fontes de alimentação, sistemas UPS, acionamento de motores e equipamentos de automação.
Produzido pela IXYS (Littelfuse), referĂȘncia mundial em semicondutores de potĂȘncia, o IXFH21N50 Ă© uma excelente escolha para projetos que exigem robustez, confiabilidade e alto desempenho.
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