O BSP16T1G da onsemi é um transistor bipolar BJT do tipo PNP, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de sinais em circuitos eletrônicos. Com tensão coletor-emissor máxima de 300 V e corrente de coletor de até 100 mA, é indicado para projetos que necessitam de um transistor compacto com capacidade de operar em tensões elevadas e correntes relativamente baixas.
O componente apresenta frequência de transição de 15 MHz e ganho de corrente contínua especificado pelo fabricante conforme as condições de teste. Essas características permitem sua utilização em circuitos de acionamento, controle e amplificação de sinais, respeitando os limites elétricos e térmicos indicados na documentação técnica.
Seu encapsulamento SOT-223 permite montagem em superfície (SMD/SMT), facilitando a integração em placas de circuito impresso e equipamentos eletrônicos compactos. O BSP16T1G é uma opção para fabricantes, técnicos e profissionais que trabalham com desenvolvimento, manutenção e reparo de circuitos eletrônicos.
Produto: Transistor bipolar BJT
Fabricante: onsemi (ON Semiconductor)
Código do fabricante: BSP16T1G
Tipo de transistor: PNP
Tensão coletor-emissor máxima (VCEO): 300 V
Tensão coletor-base máxima (VCBO): 350 V
Tensão emissor-base máxima (VEBO): 6 V
Corrente máxima de coletor: 100 mA
Dissipação máxima de potência: 1,5 W, conforme condições de montagem
Frequência de transição típica: 15 MHz
Encapsulamento: SOT-223 / TO-261
Tipo de montagem: SMD/SMT – montagem em superfície
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Circuitos de chaveamento eletrônico
Controle de sinais em circuitos de alta tensão
Estágios de acionamento
Amplificação de sinais
Circuitos de controle e automação
Placas eletrônicas com montagem SMD
Equipamentos eletrônicos industriais
Manutenção e reparo de circuitos eletrônicos
Fabricante: onsemi
Baixar datasheet oficial do BSP16T1G – PDF
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