O IXTQ26N50P da IXYS é um MOSFET de potência N-Channel (canal N), modo enriquecimento, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos.
Com tensão máxima de dreno-fonte de 500 V, corrente contínua de dreno de até 26 A e resistência de condução de até 230 mΩ, o componente oferece elevada capacidade de potência para aplicações que exigem chaveamento de cargas em alta tensão e corrente.
O IXTQ26N50P utiliza encapsulamento TO-3P-3 para montagem PTH/Through Hole, sendo indicado para fontes de alimentação, conversores, inversores, controle de motores e outros circuitos de potência. A Mouser e a DigiKey classificam o componente como MOSFET N-Channel de 500 V e 26 A.
As especificações principais são confirmadas pelos distribuidores: 500 V, 26 A, RDS(on) de 230 mΩ, VGS de ±30 V, Qg de 65 nC e dissipação de até 400 W.
O IXTQ26N50P pode ser utilizado em:
Sua construção PolarHV™ e característica de operação em modo de enriquecimento tornam o componente adequado para aplicações de potência que exigem alta tensão de bloqueio e capacidade elevada de corrente
IXTQ26N50P, IXTQ 26N50P, 26N50, MOSFET IXTQ26N50P, transistor IXTQ26N50P, MOSFET N Channel, MOSFET N-Channel
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXTQ26N50P
Distribuidor , Importador e Exportador de Componentes Eletrônicos em atacado. Apenas embalagens lacradas de fábrica. Produtos originais.