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MJD122T4G (J122G) – Transistor Darlington NPN 8A 100V TO-252

Código: 37157 Marca: Onsemi

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 2500 unidades

O MJD122T4G é um transistor Darlington NPN de potência, projetado para aplicações que exigem alta corrente de coletor e elevada tensão de operação, mantendo ganho de corrente elevado. Fabricado pela ON Semiconductor (ONSEMI), este componente é amplamente utilizado em circuitos de acionamento, controle de cargas, fontes de alimentação e aplicações industriais.

Com capacidade de até 100V de tensão coletor-emissor e 8A de corrente, o MJD122T4G é ideal para drivers de relés, motores, solenoides, lâmpadas, cargas indutivas e estágios de potência. A configuração Darlington proporciona alto ganho (hFE), reduzindo a necessidade de corrente de base e facilitando o acionamento a partir de circuitos lógicos.

O encapsulamento TO-252-3 (DPAK) SMD garante excelente dissipação térmica, confiabilidade mecânica e compatibilidade com processos de montagem automática, sendo indicado para produção em escala e projetos profissionais.

Principais Características Técnicas

Transistor Darlington NPN
Tensão coletor-emissor: 100V
Corrente de coletor contínua: 8A
Alto ganho de corrente (hFE elevado)
Ideal para acionamento de cargas de potência
Boa dissipação térmica
Encapsulamento TO-252-3 (DPAK) SMD
Alta confiabilidade ON Semiconductor

Aplicações Típicas

Drivers de relés
Controle de motores DC
Acionamento de solenoides
Fontes de alimentação
Cargas indutivas
Eletrônica industrial e automotiva

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Datasheet (Ficha Técnica)

📄 Datasheet MJD122T4G – ON Semiconductor:
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