Transistor PNP MJD127T4G Darlington Encapsulamento TO-252

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Transistor Darlington MJD127T4G STMicroelectronics – PNP 100V 8A SMD TO-252 (DPAK)

O MJD127T4G da STMicroelectronics é um transistor bipolar Darlington PNP de média/alta potência, projetado para aplicações que exigem alto ganho de corrente e acionamento eficiente de cargas.

Com tensão coletor-emissor (VCEO) de até 100V e corrente de coletor de até 8A, é ideal para circuitos de controle, acionamento de relés, motores, solenóides e estágios de potência em equipamentos industriais e eletrônicos.

Seu encapsulamento TO-252 (DPAK) SMD permite montagem em superfície com excelente dissipação térmica quando utilizado com área de cobre adequada na PCB.


🔧 Especificações Técnicas

  • Fabricante: STMicroelectronics

  • Modelo: MJD127T4G

  • Tipo: Transistor Darlington PNP

  • Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 100V

  • Corrente de Coletor (IC): 8A

  • Alto ganho de corrente (hFE típico elevado – característica Darlington)

  • Encapsulamento: TO-252 (DPAK)

  • Montagem: SMD / SMT

  • Aplicação: Acionamento e controle de potência


⚙️ Aplicações Comuns

  • Acionamento de relés e cargas indutivas

  • Controle de motores DC

  • Fontes de alimentação

  • Reguladores lineares

  • Equipamentos industriais

  • Automação e controle eletrônico


📌 Benefícios do MJD127T4G ST

✔ Alto ganho de corrente (configuração Darlington)
✔ Capacidade de corrente até 8A
✔ Encapsulamento compacto SMD TO-252
✔ Boa dissipação térmica
✔ Confiabilidade STMicroelectronics


📄 Datasheet Oficial STMicroelectronics

https://www.st.com/resource/en/datasheet/mjd127.pdf


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