O MJD127T4G da Onsemi é um transistor Darlington PNP de média potência projetado para aplicações de chaveamento e amplificação que exigem alto ganho de corrente (hFE elevado) e capacidade de condução robusta.
Com tensão máxima coletor-emissor de 100V e corrente contínua de até 8A, este dispositivo é ideal para controle de cargas indutivas, fontes chaveadas, drivers de motores, relés, solenóides e aplicações industriais e automotivas.
Fabricado no encapsulamento TO-252 (DPAK) SMD, oferece excelente dissipação térmica e confiabilidade em montagem em superfície.
Fabricante: Onsemi
Part Number: MJD127T4G
Tipo: Transistor Darlington PNP
Encapsulamento: TO-252 (DPAK) SMD
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 100V
Corrente de Coletor (IC): 8A
Potência Dissipada: Aproximadamente 20W (com dissipação adequada)
Ganho de Corrente (hFE): Alto ganho típico de Darlington
Aplicação: Chaveamento de potência e amplificação
Acionamento de motores DC
Controle de relés e solenóides
Fontes de alimentação
Drivers industriais
Circuitos automotivos
Sistemas de controle de potência
Rolo com 2.500 peças do transistor MJD127T4G Onsemi.
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mjd122-d.pdf
O MJD127T4G da Onsemi é um transistor Darlington PNP de alta corrente, ideal para aplicações de chaveamento e acionamento de cargas. Suporta 100V (VCEO) e até 8A de corrente, oferecendo alto ganho (hFE) típico da configuração Darlington.
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