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Transistor EMF90P02A MOSFET Canal P 20V 10A SMD

Código: 12642 Marca: Onsemi

~~R$ 15,00~~ R$ 9,75

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET EMF90P02A TO-252 SMD (F90P02) é um MOSFET de canal P (P-Channel) Logic Level, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de cargas em circuitos eletrônicos de baixa tensão.

O EMF90P02A possui tensão máxima dreno-fonte de -20 V e corrente contínua de dreno de até -10 A, oferecendo alta capacidade de condução em um encapsulamento compacto. O dispositivo apresenta RDS(on) máximo de 90 mΩ com VGS = -4,5 V, permitindo boa eficiência em aplicações de chaveamento.

Por ser um MOSFET Logic Level, o componente pode ser acionado com níveis de tensão adequados diretamente por circuitos de controle, sendo indicado para aplicações de gerenciamento de energia, chaveamento de cargas, fontes de alimentação e circuitos eletrônicos de potência.

Seu encapsulamento DPAK / TO-252 é destinado à montagem SMD/SMT, proporcionando boa dissipação térmica e ocupando pouco espaço na placa.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET
Part Number: EMF90P02A
Marcação: F90P02
Fabricante identificado no datasheet: Excelliance MOS
Tipo: MOSFET Canal P (P-Channel)
Modo: Enhancement / Logic Level
Tensão Dreno-Fonte (VDS): -20 V
Tensão Gate-Source (VGS): ±12 V
Corrente contínua de dreno (ID): -10 A @ 25 °C
Corrente contínua de dreno: -6,5 A @ 100 °C
Corrente de dreno pulsada (IDM): -40 A
RDS(on) máximo: 90 mΩ @ VGS = -4,5 V
RDS(on) máximo: 150 mΩ @ VGS = -2,5 V
Tensão de limiar (VGS(th)): -0,3 a -1,2 V
Dissipação de potência: 25 W @ 25 °C
Temperatura de junção: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: DPAK / TO-252
Montagem: SMD / SMT
Aplicações: Chaveamento de cargas, gerenciamento de energia, fontes de alimentação, conversores, circuitos de controle e aplicações de potência de baixa tensão.

📄 DATASHEET

EMF90P02A – P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Datasheet oficial EMF90P02A – Excelliance MOS

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