O Transistor MOSFET FDN304P SSOT-3 (SMD) da onsemi é um MOSFET de canal P (P-Channel) de nível lógico, desenvolvido para aplicações de gerenciamento de energia, chaveamento de cargas e proteção de baterias.
O FDN304P possui tensão Dreno-Source de -20 V e capacidade de corrente de dreno de até -2,4 A, oferecendo uma solução compacta para circuitos que necessitam de chaveamento eficiente em baixa tensão.
O componente utiliza a tecnologia PowerTrench, otimizada para proporcionar baixa resistência de condução e bom desempenho de chaveamento. Seu RDS(on) máximo é de 52 mΩ com VGS = -4,5 V, 70 mΩ com VGS = -2,5 V e 100 mΩ com VGS = -1,8 V.
Por ser um MOSFET Logic Level, o FDN304P foi projetado para operar com baixos níveis de tensão no gate, sendo especialmente adequado para sistemas alimentados por bateria e circuitos de controle de carga.
Com encapsulamento compacto SOT-23/SUPERSOT-23 de 3 terminais, o componente é indicado para montagem SMD, permitindo sua utilização em placas eletrônicas com alta densidade de componentes.
Os principais parâmetros são baseados no datasheet oficial da onsemi e nos dados de distribuição da DigiKey.
O FDN304P pode ser utilizado em:
A própria onsemi destaca aplicações em Battery Management, Load Switch e Battery Protection.
Datasheet oficial – onsemi FDN304P:
Datasheet FDN304P – onsemi
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