Transistor IGBT FGH30S130P 1300V de Potência

Código: 10955 Marca: Onsemi

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor IGBT FGH30S130P TO-3PN é um IGBT de potência de alta tensão da onsemi, desenvolvido com tecnologia Trench Field Stop e Shorted-Anode, proporcionando características de condução e chaveamento adequadas para aplicações de potência.

O componente possui tensão coletor-emissor de até 1300 V e corrente de coletor especificada em 30 A, conforme as condições do datasheet. Apresenta baixa tensão de saturação, com VCE(sat) de aproximadamente 1,75 V a 30 A, contribuindo para maior eficiência durante a condução.

O FGH30S130P foi desenvolvido para aplicações que exigem chaveamento de alta velocidade, apresentando alta impedância de entrada e capacidade de operação em configuração paralela. O componente também possui boa capacidade de avalanche.

É indicado principalmente para sistemas de aquecimento por indução, fornos de micro-ondas e outras aplicações de eletrônica de potência que necessitam de um IGBT de alta tensão e capacidade de corrente elevada.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: IGBT de Potência
Fabricante: onsemi
Modelo: FGH30S130P
Tipo: IGBT Trench Field Stop
Tecnologia: Shorted-Anode / Trench
Tensão Coletor-Emissor: 1300 V
Corrente de Coletor: 30 A
Corrente de Coletor a 25 °C: Até 60 A*
Corrente de Coletor Pulsada: 90 A
Tensão Gate-Emitter: ±25 V
VCE(sat): 1,75 V @ IC = 30 A
Potência máxima: 500 W @ TC = 25 °C
Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
Chaveamento: Alta velocidade
Tipo de entrada: Alta impedância
Montagem: PTH (Through-Hole)
Encapsulamento oficial: TO-247-3LD
Aplicação: Eletrônica de potência

*A corrente máxima depende das condições térmicas especificadas. O datasheet apresenta 60 A a TC = 25 °C e 30 A a TC = 100 °C.

⚙️ APLICAÇÕES

O FGH30S130P pode ser utilizado em:

Sistemas de aquecimento por indução;
Fornos de micro-ondas;
Circuitos de potência de alta tensão;
Sistemas de chaveamento de potência;
Conversores de energia;
Equipamentos industriais;
Aplicações de eletrônica de potência;
Sistemas que necessitam de IGBT de alta tensão;
Circuitos que utilizam chaveamento rápido.

O fabricante destaca especificamente aquecimento por indução e fornos de micro-ondas como aplicações do componente.

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