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Transistor GT50JR22 IGBT Alta Potência TO-3P

Código: 8076 Marca: Toshiba

~~R$ 27,00~~ R$ 17,55

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor IGBT GT50JR22 TO-3P (PTH) da Toshiba é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência de alto desempenho, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão e alta corrente. Com tensão máxima coletor-emissor (VCES) de 600V, corrente contínua de coletor de até 50A e diodo de roda livre (Free Wheeling Diode - FWD) integrado, este componente oferece elevada eficiência, baixas perdas de comutação e excelente desempenho em aplicações de eletrônica de potência.

O GT50JR22 foi projetado utilizando tecnologia de Soft Switching, proporcionando maior eficiência energética, menor aquecimento e excelente confiabilidade em aplicações de alta frequência. Seu encapsulamento TO-3P (PTH - Through Hole) proporciona excelente dissipação térmica e facilita a montagem em dissipadores de calor, tornando-o ideal para equipamentos industriais e sistemas de potência.

Amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, fornos de indução, soldadoras inversoras, nobreaks (UPS), controle de motores, conversores de potência e sistemas de automação industrial, o GT50JR22 é uma solução robusta para aplicações que exigem alta confiabilidade e eficiência.

⚙️ CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Fabricante: Toshiba
Modelo: GT50JR22
Tipo: Transistor IGBT de Potência
Tecnologia: Soft Switching IGBT
Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600V
Corrente Contínua de Coletor (IC): 50A
Diodo de roda livre (FWD): Integrado
Baixas perdas de comutação
Alta velocidade de chaveamento
Excelente desempenho térmico
Encapsulamento: TO-3P
Montagem: PTH (Through Hole)
Compatível com RoHS

🔧 PRINCIPAIS APLICAÇÕES

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Inversores de potência
Fornos de indução
Soldadoras inversoras
Nobreaks (UPS)
Controle de motores
Conversores de potência
Equipamentos industriais
Automação industrial
Projetos de eletrônica de potência

✅ PRINCIPAIS BENEFÍCIOS

IGBT de alta potência
Tensão máxima de 600V
Corrente contínua de até 50A
Diodo de roda livre integrado
Tecnologia Soft Switching para maior eficiência
Excelente dissipação térmica
Encapsulamento robusto TO-3P
Produto original Toshiba

📦 CONTEÚDO DA EMBALAGEM

01 × Transistor IGBT GT50JR22 TO-3P (PTH) – Toshiba

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