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MOSFET FQD12N20L 12N20 Canal N 200V 9A DPAK TO-252 SMD

Código: 15128 Marca: Onsemi

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🔧 Transistor MOSFET FQD12N20L 200V 9A TO-252 DPAK SMD – Onsemi

O Transistor FQD12N20L da Onsemi é um MOSFET de potência canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. O componente utiliza tecnologia QFET e foi projetado para oferecer baixa resistência de condução e bom desempenho de comutação.

Com tensão máxima entre dreno e fonte de 200V, corrente de dreno de até 9A e resistência RDS(on) máxima de 280mΩ, o FQD12N20L é indicado para aplicações de fontes chaveadas, correção ativa do fator de potência (PFC), reatores eletrônicos e outros circuitos de potência.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: FQD12N20L
• Fabricante: Onsemi
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tecnologia: QFET
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 200V
• Corrente de Dreno (ID): 9A
• RDS(on) máximo: 280mΩ
• RDS(on) especificado em: VGS = 10V
• Carga de Gate típica: 16nC
• Tensão Gate-Source: ±20V
• Dissipação de potência: até 55W (Tc = 25°C)
• Encapsulamento: DPAK / TO-252-3
• Montagem: SMD / Surface Mount
• Configuração: MOSFET simples
• Temperatura de operação e armazenamento: -55°C a +150°C

⚙️ APLICAÇÕES

O FQD12N20L pode ser utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), circuitos de correção ativa do fator de potência (PFC), reatores eletrônicos, conversores de potência e sistemas eletrônicos que necessitam de chaveamento de cargas.

Sua combinação de tensão de 200V, corrente de até 9A e baixa resistência de condução o torna adequado para diferentes aplicações de controle e gerenciamento de potência.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Onsemi – FQD12N20L:

Acessar Datasheet FQD12N20L – Onsemi

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