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MOSFET FQD7N10L 7N10 Canal N 100V 5,8A DPAK TO-252 SMD

Código: 15130 Marca: Onsemi

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🔧 Transistor MOSFET FQD7N10L 100V 5,8A TO-252 DPAK SMD (7N10) – Onsemi

O Transistor FQD7N10L da Onsemi é um MOSFET de potência canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. Utiliza tecnologia QFET e foi projetado para proporcionar baixa resistência de condução e bom desempenho em aplicações de comutação.

Com tensão dreno-fonte de até 100V, corrente de dreno contínua de 5,8A e resistência RDS(on) máxima de 350mΩ, o FQD7N10L é indicado para fontes chaveadas, amplificadores de áudio, controle de motores DC e outras aplicações de potência.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: FQD7N10L
• Fabricante: Onsemi
• Série: QFET
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tecnologia: QFET / MOSFET
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
• Corrente de Dreno contínua (ID): 5,8A
• RDS(on) máximo: 350mΩ
• RDS(on) especificado em: VGS = 10V / ID = 2,9A
• Tensão Gate-Source: ±20V
• Carga de Gate típica: 4,6nC
• Corrente de Dreno pulsada: 23,2A
• Dissipação de potência: até 25W (TC = 25°C)
• Encapsulamento: TO-252 / DPAK / TO-252AA
• Montagem: SMD / Surface Mount
• Configuração: MOSFET simples
• Temperatura de operação: -55°C a +150°C

⚙️ APLICAÇÕES

O FQD7N10L pode ser utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), amplificadores de áudio, controle de motores DC, conversores de potência e circuitos de chaveamento.

Sua construção como MOSFET canal N de potência permite aplicações que necessitam de controle de cargas e comutação eletrônica em diferentes sistemas de potência.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Onsemi – FQD7N10L:

Acessar Datasheet FQD7N10L – Onsemi

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