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Transistor FQPF20N60C MOSFET Canal N 600V 20A TO-220 PTH

Código: 12570 Marca: Onsemi

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor FQPF20N60C TO-220 PTH (20N60), da onsemi, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O dispositivo é destinado a circuitos que necessitam de alta tensão de bloqueio e capacidade de condução de corrente, sendo adequado para fontes chaveadas e sistemas de conversão de energia.

O componente pertence à categoria de MOSFETs de alta tensão, com tensão Dreno-Fonte de até 600 V e corrente contínua de dreno de até 20 A, características também presentes na família 20N60 da onsemi. Os dispositivos relacionados da família apresentam tecnologia SuperFET™, configuração de canal N e operação em modo enhancement.

Seu encapsulamento TO-220 permite montagem PTH/Through Hole, facilitando a instalação em placas de circuito impresso e a utilização de dissipadores de calor. É indicado para fontes chaveadas, conversores AC/DC e DC/DC, inversores, circuitos de chaveamento de potência e aplicações industriais.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência
Marca: onsemi
Part Number: FQPF20N60C
Código: 20N60
Tipo: MOSFET N-Channel
Tecnologia: MOSFET de alta tensão
Modo de operação: Enhancement
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 600 V
Corrente contínua de dreno (ID): 20 A
Configuração: Canal único
Tensão Gate-Source: ±30 V
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento: TO-220
Número de terminais: 3
Aplicações: Fontes chaveadas, conversores de potência, inversores, circuitos de chaveamento, fontes AC/DC e aplicações industriais.

Nota: os valores de RDS(on), carga de gate e dissipação de potência podem variar conforme a variante exata do 20N60. Por isso, recomendo conferir a marcação física e o datasheet específico do seu lote antes de publicar esses parâmetros como definitivos. A documentação atual da onsemi para o FCP20N60, por exemplo, especifica 600 V, 20 A, 190 mΩ e TO-220, enquanto o FCPF20N60 utiliza TO-220F.

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