O Transistor MOSFET 2N60P (02N60P) da IXYS é um MOSFET de potência Canal N desenvolvido para aplicações de alta tensão e alta eficiência em circuitos de chaveamento. Com tensão máxima Drain-Source (VDS) de 600V, baixa resistência de condução (RDS(on)) e excelente desempenho de comutação, é ideal para fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC e equipamentos industriais.
Encapsulado em TO-220 (THT), o 2N60P oferece excelente dissipação térmica e elevada confiabilidade, suportando aplicações de potência que exigem alta eficiência energética e estabilidade operacional. Sua tecnologia proporciona baixas perdas durante o chaveamento, contribuindo para maior rendimento e menor aquecimento do circuito.
Fabricado pela IXYS, empresa reconhecida mundialmente em semicondutores de potência, este MOSFET é amplamente utilizado em fontes de alimentação, nobreaks, inversores, controladores de motores e sistemas eletrônicos industriais.
Observação: Alguns parâmetros elétricos, como RDS(on), carga de gate e potência dissipada, podem variar conforme a versão ou o fabricante equivalente do componente.
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