FQP11N60C MOSFET 600V 11A – Transistor Potência Canal N TO-220-3

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Descrição do Produto – MOSFET FQP11N60C Fairchild (ON Semiconductor) 600V 11A TO-220

O FQP11N60C da Fairchild (atual ON Semiconductor) é um MOSFET de potência Canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, baixa perda e excelente desempenho em chaveamento. Com 600V de tensão máxima, 11A de corrente contínua e encapsulamento TO-220, o componente oferece elevada confiabilidade para projetos industriais e fontes de alimentação.

Projetado com tecnologia avançada de fabricação, o FQP11N60C oferece baixa resistência RDS(on), comutação rápida, menor dissipação de calor e eficiência superior em topologias como SMPS, drivers, inversores, UPS, controladores PWM, entre outros dispositivos eletrônicos de alta demanda.

Ideal para manutenção, reparo e desenvolvimento de circuitos profissionais, é um dos MOSFETs mais utilizados em placas de televisores, fontes chaveadas, carregadores, nobreaks, módulos de controle, entre outros equipamentos.

Características Principais:

  • Tipo: MOSFET Canal N

  • Tensão de Dreno (Vds): 600 V

  • Corrente de Dreno (Id): 11 A

  • Baixa RDS(on) para maior eficiência energética

  • Encapsulamento: TO-220 (PTH)

  • Aplicações: fontes chaveadas, drivers de potência, SMPS, inversores, nobreaks, módulo PWM e sistemas de comutação rápida

Link do Datasheet (Fabricante ON Semiconductor/Fairchild):
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fqp11n60c-d.pdf


RESUMO CURTO SEO – FQP11N60C

MOSFET FQP11N60C Fairchild 600V 11A TO-220 Canal N, ideal para fontes chaveadas, inversores e drivers de potência. Baixa RDS(on), alta eficiência e excelente desempenho em comutação. Perfeito para manutenção e projetos eletrônicos profissionais. Datasheet disponível.

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