Transistor IGBT IRG4RC10S 600V 14A SMD TO-252AA DPAK

📌 Descrição do Produto

O IGBT IRG4RC10S da Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier) é um transistor bipolar de porta isolada, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico que exigem alta tensão, capacidade de condução de corrente e eficiência em circuitos de potência.

Com tensão máxima coletor-emissor de 600 V e corrente contínua de coletor de até 14 A a 25 °C na temperatura especificada do encapsulamento, o componente oferece desempenho adequado para sistemas de controle e conversão de energia.

Pertencente à quarta geração de IGBTs (Generation 4), apresenta baixa queda de tensão em condução, contribuindo para reduzir as perdas de energia durante o funcionamento nas condições recomendadas pelo fabricante.

Sua tecnologia de velocidade padrão (Standard Speed) é otimizada para aplicações com frequências de operação inferiores a 1 kHz, sendo indicado para circuitos de chaveamento de potência que priorizam baixa tensão de saturação.

O encapsulamento TO-252AA (DPAK) permite montagem em superfície (SMD/SMT), proporcionando melhor aproveitamento de espaço em placas de circuito impresso e facilitando a integração em projetos eletrônicos compactos.

É uma opção para equipamentos industriais, fontes de alimentação, circuitos de controle de potência e sistemas de conversão de energia.

⚙️ Especificações Técnicas

• Fabricante: Infineon Technologies / International Rectifier

• Código do componente: IRG4RC10S

• Tipo: Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Polaridade: Canal N (N-Channel)

• Tensão coletor-emissor (VCES): 600 V

• Corrente contínua de coletor (IC): 14 A a TC = 25 °C

• Corrente contínua de coletor (IC): 8 A a TC = 100 °C

• Corrente pulsada de coletor (ICM): 18 A

• Tensão gate-emissor (VGE): ±20 V

• Potência máxima de dissipação (PD): 38 W a TC = 25 °C

• Potência máxima de dissipação (PD): 15 W a TC = 100 °C

• Energia de avalanche reversa (EARV): 110 mJ

• Resistência térmica junção-case (RθJC): 3,3 °C/W (máxima)

• Temperatura de operação da junção (TJ): -55 °C a +150 °C

• Velocidade de operação: Standard Speed

• Frequência de aplicação recomendada: Inferior a 1 kHz

• Encapsulamento: TO-252AA (DPAK)

• Tipo de montagem: SMD/SMT (Surface Mount)

• Aplicação: Chaveamento e controle de potência

🛠 Aplicações

• Circuitos de chaveamento de potência

• Fontes de alimentação eletrônicas

• Conversores de energia

• Sistemas de controle industrial

• Circuitos de acionamento de cargas

• Equipamentos de potência

• Sistemas de automação industrial

• Circuitos de conversão de energia

• Manutenção e reposição de placas eletrônicas

• Equipamentos eletrônicos de alta tensão

📦 Conteúdo da Embalagem

• 1 × Transistor IGBT IRG4RC10S 600V 14A SMD TO-252AA DPAK

📄 Datasheet – Ficha Técnica

Datasheet IRG4RC10S – International Rectifier / Infineon (PDF):

Baixar Datasheet IRG4RC10S – Ficha Técnica (PDF)

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