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Transistor IRF3205PBF MOSFET Canal N 55V 110A 8mΩ TO-220 PTH

Código: 12156 Marca: Infineon

~~R$ 16,00~~ R$ 10,40

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET IRF3205PBF é um MOSFET de potência canal N, fabricado pela Infineon Technologies, pertencente à família HEXFET®. Desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência, o componente combina alta capacidade de corrente com baixa resistência de condução, sendo indicado para circuitos que exigem elevada eficiência no acionamento de cargas.

O IRF3205PBF possui tensão Drain-Source de 55 V, corrente contínua de dreno de até 110 A nas condições especificadas e RDS(on) máximo de 8 mΩ a VGS de 10 V e ID de 62 A. Essas características tornam o componente adequado para aplicações de potência que necessitam de baixa perda durante a condução.

Com encapsulamento TO-220 e montagem PTH/THT (Through Hole), o IRF3205PBF é indicado para fontes chaveadas, inversores, motores DC, sistemas alimentados por bateria, iluminação, load switches e outras aplicações de gerenciamento e conversão de energia. A Infineon destaca a estrutura planar e o projeto voltado para alta capacidade de corrente e robustez.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de Potência
Part Number: IRF3205PBF
Marca: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Drain-Source (VDS): 55 V
Corrente contínua de dreno (ID): 110 A @ 25 °C
RDS(on) máximo: 8 mΩ
Condição de RDS(on): VGS = 10 V / ID = 62 A
Tensão Gate-Source máxima: ±20 V
Tensão de limiar (VGS(th)): 2 a 4 V
Carga de Gate típica: 97,3 nC @ 10 V
Carga de Gate-to-Drain (QGD): 36 nC
Dissipação de potência: 150 W
Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH / THT / Through Hole
Configuração: 1 canal
Polaridade: N-Channel
Status: Ativo

Os valores acima correspondem às especificações atuais disponibilizadas pela Infineon para o IRF3205PBF.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRF3205PbF:
Acessar Datasheet IRF3205PBF na Infineon

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