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Transistor IRF520N MOSFET Canal N 100V 9,7A 200mΩ TO-220 PTH

Código: 12151 Marca: Infineon

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET IRF520N é um MOSFET de potência canal N, fabricado pela Infineon Technologies, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão Drain-Source de 100 V e corrente contínua de dreno de até 9,7 A, sendo indicado para circuitos que necessitam de chaveamento de cargas e controle de energia.

O IRF520N apresenta RDS(on) máximo de 200 mΩ, especificado com VGS de 10 V, além de estrutura planar e características voltadas para aplicações de chaveamento. O dispositivo possui ainda capacidade de operação em temperaturas de junção de até 175 °C, oferecendo robustez para aplicações de potência.

Com encapsulamento TO-220 e montagem PTH/THT (Through Hole), o IRF520N é indicado para fontes chaveadas, inversores, acionamento de motores, circuitos de iluminação, load switches, sistemas alimentados por bateria e outras aplicações de gerenciamento de energia.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de Potência
Part Number: IRF520N
OPN Infineon: IRF520NPBF
Marca: Infineon Technologies
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Drain-Source (VDS): 100 V
Corrente contínua de dreno (ID): 9,7 A @ 25 °C
RDS(on) máximo: 200 mΩ
Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20 V
Tensão de limiar (VGS(th)): 2 a 4 V
Carga total de Gate (Qg): 16,7 nC @ 10 V
Carga Gate-to-Drain (Qgd): 7,3 nC
Dissipação de potência: 48 W
Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH / THT / Through Hole
Polaridade: Canal N
Configuração: 1 canal
Status: Ativo

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRF520NPBF:
Acessar Datasheet IRF520N na Infineon

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