IRF740SPBF MOSFET Canal N D2PAK SMD

Código: 10010 Marca:
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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor IRF740SPBF é um MOSFET de potência de canal N, desenvolvido pela Vishay para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão máxima Drain-Source de 400 V e corrente contínua de dreno de até 10 A, sendo indicado para circuitos de potência, fontes chaveadas, conversores e sistemas de controle eletrônico.

O IRF740SPBF apresenta resistência RDS(on) de até 550 mΩ, tecnologia de operação em modo Enhancement e encapsulamento TO-263-3 / D2PAK, permitindo montagem SMD/SMT diretamente na placa de circuito impresso. Sua construção também proporciona capacidade de dissipação de potência de até 125 W, considerando as condições especificadas pelo fabricante.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Produto: Transistor MOSFET de Potência
  • Marca: Vishay
  • Modelo: IRF740SPBF
  • Tipo: MOSFET
  • Canal: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET de silício
  • Modo de operação: Enhancement
  • Tensão Drain-Source (VDS): 400 V
  • Corrente contínua de dreno (ID): 10 A
  • Resistência Drain-Source (RDS(on)): 550 mΩ máx.
  • Tensão Gate-Source (VGS): ±20 V
  • Carga de Gate (Qg): 63 nC
  • Capacitância de entrada (Ciss): 1400 pF
  • Potência máxima de dissipação: 125 W
  • Número de canais: 1
  • Encapsulamento: TO-263-3 / D2PAK
  • Montagem: SMD / SMT
  • Número de terminais: 3
  • Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C

As principais especificações são confirmadas pelas páginas do componente na Vishay/Mouser e DigiKey.


📌 APLICAÇÕES

  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de chaveamento de potência
  • Controle de cargas
  • Conversores de energia
  • Inversores
  • Circuitos de acionamento
  • Reguladores de tensão
  • Equipamentos industriais
  • Sistemas de eletrônica de potência
  • Projetos eletrônicos com MOSFET de alta tensão

📄 DATASHEET

Datasheet – IRF740SPBF / IRF740S Power MOSFET:

https://www.vishay.com/docs/91055/sihf740s.pdf


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