🔹 Descrição do Produto

O STB20NK50Z da STMicroelectronics é um transistor MOSFET de potência do tipo canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de potência em circuitos de alta tensão.

Com tensão máxima dreno-fonte (VDSS) de 500 V e corrente de dreno nominal de até 17 A, conforme as condições especificadas pelo fabricante, é indicado para aplicações que exigem controle eficiente de cargas e chaveamento de energia.

O componente utiliza tecnologia MOSFET de potência, oferecendo alta impedância de entrada e acionamento por tensão no terminal Gate.

Seu encapsulamento TO-263-3 (D2PAK) permite montagem em superfície (SMD), facilitando a integração em placas eletrônicas e sistemas de potência.

É utilizado principalmente em fontes chaveadas, conversores, circuitos de alimentação, equipamentos industriais e sistemas de controle eletrônico.

🔧 Especificações Técnicas

• Código do componente: STB20NK50Z

• Fabricante: STMicroelectronics

• Categoria: Transistor MOSFET de potência

• Tipo: Canal N (N-Channel)

• Tensão máxima dreno-fonte (VDSS): 500 V

• Corrente máxima de dreno (ID): 17 A

• Encapsulamento: TO-263-3

• Nomenclatura do encapsulamento: D2PAK

• Quantidade de terminais: 3

• Montagem: SMD / SMT

• Acionamento: Por tensão no terminal Gate

• Aplicação: Chaveamento e controle de potência

Observação: os valores máximos de tensão e corrente dependem das condições de operação, especialmente temperatura, dissipação térmica e área de operação segura (SOA). Consulte o datasheet para os limites completos.

⚙️ Características e Vantagens

• MOSFET de potência canal N.

• Tensão máxima dreno-fonte de 500 V.

• Corrente nominal de dreno de até 17 A.

• Tecnologia de chaveamento por efeito de campo.

• Alta impedância de entrada.

• Encapsulamento D2PAK para montagem SMD.

• Indicado para circuitos de conversão e controle de energia.

• Fabricado pela STMicroelectronics.

📐 Entenda as principais funções

MOSFET Canal N: componente semicondutor utilizado como chave eletrônica, controlando a passagem de corrente entre os terminais Drain e Source por meio do sinal aplicado ao Gate.

Tensão VDSS de 500 V: representa a tensão máxima especificada entre dreno e fonte quando o transistor está desligado, respeitadas as condições do fabricante.

Corrente de dreno de 17 A: indica a capacidade nominal de condução nas condições de teste especificadas. A corrente efetivamente permitida depende da temperatura e da dissipação térmica.

Encapsulamento D2PAK: formato de montagem superficial que permite conexão elétrica e transferência de calor para a placa ou estrutura de dissipação.

🔌 Aplicações

• Fontes chaveadas (SMPS).

• Conversores de potência.

• Circuitos de chaveamento de alta tensão.

• Equipamentos industriais.

• Fontes de alimentação eletrônicas.

• Sistemas de controle de energia.

• Circuitos de acionamento de cargas.

• Equipamentos eletrônicos de potência.

• Manutenção e reparo de placas eletrônicas.

📦 Conteúdo da Embalagem

• 1 unidade do transistor MOSFET STB20NK50Z.

⚠️ Atenção antes da compra

• Confira o código STB20NK50Z antes de efetuar a compra.

• Verifique a pinagem Gate, Drain e Source no datasheet.

• Confirme a compatibilidade do encapsulamento TO-263-3 / D2PAK com sua placa.

• Verifique a tensão de acionamento do Gate e a resistência RDS(on).

• Considere a dissipação térmica necessária para a aplicação.

• Não utilize os valores máximos de tensão e corrente como condições contínuas garantidas sem verificar o datasheet.

• Para substituição, compare tensão, corrente, RDS(on), carga de Gate, pinagem e área de operação segura.

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🔗 Datasheet e documentação técnica

Fabricante: STMicroelectronics

Datasheet oficial:

https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/395121/STMICROELECTRONICS/STB20NK50Z.html

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