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MOSFET IRFB4103 de Potência Canal N Encapsulamento TO-220

Código: 15144 Marca: Infineon

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🔧 Transistor MOSFET IRFB4103 200V 17A TO-220 PTH – Infineon

O Transistor IRFB4103 da Infineon é um MOSFET de potência canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. Possui encapsulamento TO-220, adequado para montagem PTH (Through Hole), sendo indicado para projetos e equipamentos que necessitam de um transistor de potência para controle de cargas.

Com tensão dreno-fonte de até 200V e corrente de dreno de até 17A, o IRFB4103 pode ser utilizado em diferentes aplicações de potência, conversão de energia e chaveamento eletrônico.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: IRFB4103
• Fabricante: Infineon
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 200V
• Corrente de Dreno (ID): 17A
• Encapsulamento: TO-220 / TO-220AB
• Montagem: PTH / Through Hole / THT
• Configuração: MOSFET simples
• Aplicação: Chaveamento e controle de potência

⚙️ APLICAÇÕES

O IRFB4103 pode ser utilizado em fontes de alimentação, conversores de potência, circuitos de chaveamento, controle de cargas, equipamentos industriais, sistemas eletrônicos e outras aplicações que necessitam de um MOSFET canal N de potência.

O encapsulamento TO-220 facilita a montagem em placas de circuito impresso e permite a utilização de dissipador de calor quando necessário.

📄 DATASHEET

Datasheet do IRFB4103:

Acessar Datasheet IRFB4103

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