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MOSFET IRFB4227PBF Canal N 200V 65A TO-220AB

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Código: 15143 Marca: Infineon

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🔧 Transistor MOSFET IRFB4227PBF 200V 65A TO-220 PTH (IRFB4227) – Infineon

O Transistor IRFB4227PBF da Infineon é um MOSFET de potência canal N da família StrongIRFET™, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos.

Com tensão dreno-fonte de até 200V, corrente de dreno de 65A e baixa resistência de condução, com RDS(on) máximo de 24mΩ, o IRFB4227PBF é indicado para aplicações que exigem alta capacidade de corrente e eficiência no chaveamento.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: IRFB4227PBF
• Fabricante: Infineon Technologies
• Série: StrongIRFET™
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 200V
• Corrente de Dreno (ID): 65A
• RDS(on) máximo: 24mΩ
• RDS(on) especificado em: VGS = 10V / ID = 46A
• Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±30V
• Carga de Gate típica: 70nC
• Carga de Gate máxima: 98nC
• Dissipação de potência: até 330W (condição especificada em datasheet)
• Encapsulamento: TO-220 / TO-220AB
• Montagem: PTH / Through Hole / THT
• Temperatura de junção: -40°C a +175°C

⚙️ APLICAÇÕES

O IRFB4227PBF pode ser utilizado em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC-DC, inversores, sistemas de controle de potência, acionamento de motores, circuitos de chaveamento e outras aplicações que necessitam de um MOSFET canal N de alta corrente.

Seu encapsulamento TO-220 facilita a montagem PTH em placas de circuito impresso e permite a utilização de dissipadores de calor em aplicações que exigem maior capacidade de dissipação térmica.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRFB4227PBF:

Acessar Datasheet IRFB4227 – Infineon

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