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IRF640NS MOSFET Canal N TO-263 200V Infineon

Código: 31850 Marca: Infineon Technologies

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O IRF640NS (IRF640NSTRLPBF) da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, excelente eficiência de chaveamento e robustez operacional.

Com capacidade de operação em até 200V e corrente de 18A, este MOSFET é ideal para aplicações em fontes chaveadas (SMPS), inversores, controle de motores, circuitos industriais e conversores DC-DC.

A tecnologia MOSFET da Infineon proporciona baixa resistência RDS(on), rápida comutação e alta eficiência energética, reduzindo perdas térmicas e melhorando o desempenho do sistema.

Seu encapsulamento D2PAK / TO-263 (SMD) oferece excelente dissipação térmica e compatibilidade com montagem automatizada.

🔧 Especificações Técnicas:

Modelo: IRF640NS / IRF640NSTRLPBF
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Drain-Source (Vds): 200V
Corrente contínua (Id): 18A
Baixa resistência RDS(on)
Alta velocidade de chaveamento
Encapsulamento: D2PAK / TO-263
Montagem: SMD
Marca: Infineon Technologies

⚙️ Principais Benefícios:

Alta eficiência energética
Excelente desempenho térmico
Ideal para aplicações de potência
Alta confiabilidade
Compatível com montagem SMD

🔌 Aplicações:

Fontes chaveadas
Conversores DC-DC
Inversores
Controle de motores
Equipamentos industriais

📄 Datasheet (Ficha Técnica):

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF640NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf

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