Transistor IRF640 MOSFET Canal N 200V 18A TO-220

Código: 295 Marca: ST

O IRF640 da STMicroelectronics é um transistor MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, alta corrente e eficiência em chaveamento.

Com capacidade de até 200V e 18A, o IRF640 é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers, fontes industriais e circuitos de potência, oferecendo excelente desempenho e confiabilidade.

Seu encapsulamento TO-220 (PTH) facilita a dissipação térmica e a montagem em dissipadores de calor e placas de circuito impresso, sendo ideal para aplicações de média e alta potência.

Principais Características

MOSFET canal N (N-Channel)
Tensão de operação de até 200V
Corrente de até 18A
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência em chaveamento
Excelente dissipação térmica
Encapsulamento TO-220 PTH

Especificações Técnicas

Part Number: IRF640
Fabricante: STMicroelectronics
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N
Tensão dreno-fonte (Vds): 200V
Corrente de dreno (Id): 18A
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH (Through Hole)
Aplicações: chaveamento e controle de potência

Aplicações Comuns

Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores de tensão
Drivers de potência
Circuitos de alta corrente
Equipamentos industriais
Manutenção e desenvolvimento eletrônico

Datasheet Oficial

Para informações completas sobre características elétricas, curvas de operação e aplicação, consulte o datasheet:

📄 Datasheet – STMicroelectronics:
https://www.st.com/resource/en/datasheet/irf640.pdf

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