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Transistor IRF830 MOSFET Canal N TO-220 ST

Código: 289 Marca: ST

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Transistor MOSFET IRF830 – Canal N de Potência TO-220 – STMicroelectronics

O IRF830 da STMicroelectronics é um transistor MOSFET de potência canal N, projetado para aplicações que exigem alta tensão, eficiência em comutação e confiabilidade.

Muito utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers e circuitos de potência, o IRF830 oferece excelente desempenho em aplicações de chaveamento de alta tensão, sendo uma escolha popular entre técnicos e engenheiros eletrônicos.

Seu encapsulamento TO-220 (PTH) facilita a dissipação térmica e a montagem em placas de circuito impresso e dissipadores de calor.

Principais Características

MOSFET canal N (N-Channel)
Alta tensão de operação (até 500V)
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência em chaveamento
Boa capacidade de dissipação térmica
Ideal para fontes chaveadas e circuitos de potência
Encapsulamento TO-220

Especificações Técnicas

Part Number: IRF830
Fabricante: STMicroelectronics
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N
Tensão dreno-fonte (Vds): até 500V
Corrente de dreno (Id): até 4.5A
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH (Through Hole)
Aplicações: chaveamento de potência

Aplicações Comuns

Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores de tensão
Drivers de potência
Circuitos de alta tensão
Equipamentos industriais
Manutenção e reparo eletrônico

Datasheet Oficial

Para informações completas sobre características elétricas, curvas de operação e aplicação, consulte o datasheet:

📄 Datasheet – STMicroelectronics:
https://www.mouser.com/catalog/specsheets/stmicroelectronics_cd00001546.pdf?_gl=1*1xu11pj*_gcl_au*MjkwMDQ1OTIxLjE3Njk0NzU2OTQuMTU1NTQyNTY5Mi4xNzcwOTkyMDQwLjE3NzA5OTIwMzk.*_ga*NTkwNTUwNzE0LjE3NDAwNjk4ODU.*_ga_15W4STQT4T*czE3NzM3MDc1NDAkbzI2NyRnMSR0MTc3MzcwNzU0NiRqNTQkbDAkaDA.

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