O IRFB4710PBF da Infineon Technologies é um transistor MOSFET N-Channel de alta potência, encapsulado em TO-220 (PTH – Through Hole), projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência RDS(on) e rápida comutação. Este MOSFET é ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores, inversores e sistemas de automação industrial.
Com tensão máxima de dreno-fonte de 100V e corrente contínua de até 170A, o IRFB4710PBF garante desempenho confiável em aplicações de alta potência, oferecendo eficiência energética e alta durabilidade em ambientes industriais e eletrônicos.
Fabricante: Infineon Technologies
Modelo: IRFB4710PBF (IRFB4710)
Tipo: N-Channel MOSFET
Encapsulamento: TO-220 (PTH – Through Hole)
Tensão Drain-Source (VDS): 100V
Corrente Contínua (ID): 170A
RDS(on): 5.6 mΩ (máx.)
Tensão Gate-Source (VGS): ±20V
Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
Montagem: PTH (Through Hole)
Fontes chaveadas (SMPS) e conversores DC-DC
Controle de motores e drivers de potência
Inversores e sistemas fotovoltaicos
Automação industrial e equipamentos eletrônicos de potência
Aplicações de alta corrente e baixa resistência de condução
📄 Datasheet oficial (Infineon Technologies):
🔗 Clique aqui para acessar o datasheet IRFB4710PBF (PDF)
IRFB4710PBF Infineon – Transistor MOSFET N-Channel, TO-220 PTH, 100V 170A, RDS(on) 5.6mΩ. Ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e aplicações de alta potência.
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