Transistor IRFB5620PBF TO-220 N-Channel MOSFET PTH

Código: 20871 Marca:
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🧩 Descrição do Produto – IRFB5620PBF Infineon Technologies

O IRFB5620PBF da Infineon Technologies é um transistor MOSFET N-Channel de alta potência, encapsulado em TO-220 (PTH – Through Hole), projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência RDS(on) e comutação rápida. Este MOSFET é ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores, inversores e sistemas de automação industrial.

Com tensão máxima de dreno-fonte de 100V e corrente contínua de até 70A, o IRFB5620PBF garante desempenho confiável em aplicações de alta potência, oferecendo eficiência energética, alta durabilidade e estabilidade térmica em ambientes industriais e eletrônicos.


⚙️ Características Técnicas:

  • Fabricante: Infineon Technologies

  • Modelo: IRFB5620PBF (IRFB5620)

  • Tipo: N-Channel MOSFET

  • Encapsulamento: TO-220 (PTH – Through Hole)

  • Tensão Drain-Source (VDS): 100V

  • Corrente Contínua (ID): 70A

  • RDS(on): 7.5 mΩ (máx.)

  • Tensão Gate-Source (VGS): ±20V

  • Temperatura de Operação: -55°C a +175°C

  • Montagem: PTH (Through Hole)


Principais Aplicações:

  • Fontes chaveadas (SMPS) e conversores DC-DC

  • Controle de motores e drivers de potência

  • Inversores e sistemas fotovoltaicos

  • Automação industrial e equipamentos eletrônicos de potência

  • Aplicações de alta corrente e baixa resistência de condução


📄 Datasheet oficial (Infineon Technologies):
🔗 Clique aqui para acessar o datasheet IRFB5620PBF (PDF)


🛒 Resumo SEO (para e-commerce):

IRFB5620PBF Infineon – Transistor MOSFET N-Channel, TO-220 PTH, 100V 70A, RDS(on) 7.5mΩ. Ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e aplicações de alta potência.


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