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Transistor FQP50N06L MOSFET N-Channel Logic TO-220 PTH

Código: 12466 Marca: Onsemi

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor FQP50N06L TO-220 PTH (50N06), da onsemi, é um MOSFET de potência N-Channel desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente utiliza tecnologia QFET e apresenta baixa resistência de condução, proporcionando bom desempenho em aplicações que exigem eficiência e capacidade de corrente.

O FQP50N06L possui tensão máxima Dreno-Fonte de 60 V, corrente contínua de até 52,4 A em condições especificadas e RDS(on) máximo de 21 mΩ com VGS de 10 V. Seu encapsulamento TO-220-3 permite montagem PTH/Through Hole, sendo indicado para fontes chaveadas, controle de motores DC, amplificadores de áudio, conversores DC/DC e sistemas de gerenciamento e chaveamento de potência.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência N-Channel
Marca: onsemi
Part Number: FQP50N06L
Série: QFET®
Tipo: MOSFET N-Channel
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60 V
Corrente contínua de dreno (ID): 52,4 A (TC = 25°C)
Corrente de dreno a 100°C: 37,1 A
Corrente pulsada (IDM): 210 A
RDS(on) máximo: 21 mΩ
Condição RDS(on): ID = 26,2 A / VGS = 10 V
Tensão Gate-Source máxima: ±20 V
Tensão de acionamento: 5 V / 10 V
Carga de Gate (Qg): 32 nC máx. a 5 V
Dissipação máxima de potência: 121 W (TC = 25°C)
Temperatura de junção: -55°C a +175°C
Tecnologia: MOSFET Metal Oxide / QFET
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento: TO-220-3
Número de terminais: 3

📄 DATASHEET

FQP50N06L – N-Channel QFET MOSFET – onsemi:

Datasheet oficial FQP50N06L – onsemi

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