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Transistor IGBT IRGB20B60PD1 – Alta Corrente e Baixa Perda TO-220

Código: 1483 Marca: Infineon Technologies

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 117 unidades

Descrição otimizada para e-commerce – Transistor IGBT IRGB20B60PD1 (Infineon Technologies)

O IRGB20B60PD1 da Infineon Technologies é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta eficiência, desenvolvido para aplicações de comutação rápida, controle de potência e conversão de energia. Com capacidade de 600V e 20A, ele combina as vantagens de baixa perda de condução dos transistores bipolares com a alta velocidade de comutação dos MOSFETs, oferecendo desempenho superior em circuitos de alta tensão e corrente.

Encapsulado em TO-220, o IRGB20B60PD1 é ideal para montagem em dissipadores de calor, garantindo excelente dissipação térmica e confiabilidade em ambientes de operação exigentes. Possui diodo interno de recuperação rápida, o que o torna especialmente eficiente em inversores, fontes chaveadas (SMPS), drivers de motor e circuitos de controle de potência industrial.

🔹 Principais características:

Tipo: Transistor IGBT N-Channel com diodo interno
Tensão máxima (Vce): 600V
Corrente contínua (Ic): 20A
Encapsulamento: TO-220
Alta velocidade de comutação
Baixa perda de condução e baixa dissipação de energia
Diodo antiparalelo integrado para proteção
Aplicações: Inversores, fontes chaveadas, drivers de motor, aquecimento por indução e UPS industriais

O IRGB20B60PD1 Infineon é amplamente utilizado por engenheiros e técnicos que buscam eficiência, robustez e confiabilidade em sistemas de potência, sendo um componente essencial em equipamentos industriais, automação e eletrônica de potência.

🔗 Datasheet oficial: IRGB20B60PD1 – Infineon Technologies (PDF)

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IRGB20B60PD1 Infineon – Transistor IGBT 600V 20A TO-220 com diodo interno. Alta eficiência, baixa perda e ideal para fontes, inversores e drivers.

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