MOSFET IXBH12N300 300V 12A Encapsulamento TO-247

Código: 12624 Marca: IXYS

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor IXBH12N300 TO-247 PTH (12N300), da IXYS, é um IGBT de alta tensão (High Voltage IGBT) da família BIMOSFET™, desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de potência que exigem elevada tensão de bloqueio. O componente possui tensão coletor-emissor de até 3.000 V e corrente contínua de coletor de até 30 A a 25 °C.

O IXBH12N300 combina características de dispositivos MOSFET e IGBT em uma estrutura BIMOSFET™ monolítica, oferecendo baixo requisito de acionamento de gate e alta densidade de potência. O dispositivo também possui diodo antiparalelo integrado, proporcionando um caminho alternativo para a corrente de cargas indutivas durante o desligamento.

Seu encapsulamento TO-247AD permite montagem PTH/Through Hole e oferece capacidade de dissipação de até 160 W. O componente é indicado para fontes chaveadas, fontes ressonantes, UPS/nobreaks, geradores laser, circuitos de descarga de capacitores e chaves AC de alta tensão.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: IGBT de Alta Tensão / BIMOSFET™
Marca: IXYS
Part Number: IXBH12N300
Código de marcação: 12N300
Tipo: IGBT High Voltage
Tecnologia: BIMOSFET™
Tensão Coletor-Emissor (VCES): 3.000 V
Corrente contínua de coletor (IC): 30 A a TC = 25 °C
Corrente de coletor a TC = 110 °C: 12 A
Corrente pulsada de coletor (ICM): 100 A
Tensão Gate-Emissor contínua: ±20 V
Tensão Gate-Emissor transitória: ±30 V
Tensão de saturação VCE(sat): máx. 3,2 V
Dissipação máxima de potência: 160 W
Tempo de recuperação reversa (trr): aproximadamente 1,4 µs
Diodo antiparalelo: Integrado
Temperatura de operação/junção: -55 °C a +150 °C
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento: TO-247AD / TO-247-3
Número de terminais: 3
Aplicações: Fontes chaveadas, fontes ressonantes, UPS, geradores laser, descarga de capacitores e chaves AC.

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