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Transistor MJD31CG NPN de Potência 100V 3A TO-252

Código: 10914 Marca: Onsemi

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MJD31CG TO-252 da onsemi é um transistor bipolar NPN de potência (BJT) desenvolvido para aplicações de amplificação de uso geral e chaveamento de baixa velocidade.

O MJD31CG possui tensão coletor-emissor de até 100 V e corrente de coletor de até 3 A, oferecendo uma solução compacta para circuitos que necessitam de controle de corrente e chaveamento de cargas.

O componente apresenta ganho de corrente (hFE) mínimo de 10 a 3 A e 4 V, frequência de transição de aproximadamente 3 MHz e tensão de saturação de até 1,2 V nas condições especificadas.

Com encapsulamento DPAK (TO-252) e montagem SMD (Surface Mount Device), o MJD31CG é adequado para placas eletrônicas compactas e aplicações que necessitam de um transistor NPN de potência com boa capacidade de corrente.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor Bipolar NPN
Fabricante: onsemi
Modelo: MJD31CG
Tipo: BJT NPN de potência
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 100 V
Corrente de Coletor (IC): 3 A
Ganho de corrente (hFE) mínimo: 10 @ IC = 3 A, VCE = 4 V
Frequência de transição (fT): 3 MHz
VCE(sat) máximo: 1,2 V @ IB = 375 mA, IC = 3 A
Potência máxima: 1,56 W
Temperatura de junção: -65 °C a +150 °C
Número de terminais: 3
Encapsulamento: DPAK / TO-252-3
Montagem: SMD
Aplicação: Amplificação e chaveamento de baixa velocidade

⚙️ APLICAÇÕES

O MJD31CG pode ser utilizado em:

Circuitos de amplificação de uso geral;
Chaveamento de cargas;
Circuitos de controle de potência;
Estágios de driver;
Circuitos eletrônicos de baixa velocidade;
Equipamentos eletrônicos;
Placas de controle;
Sistemas de automação;
Aplicações que necessitam de transistor NPN de potência.

A própria onsemi descreve a família MJD31/MJD32 para amplificação de uso geral e aplicações de chaveamento de baixa velocidade.

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