O 2SK2847, da Toshiba, é um transistor MOSFET de potência de canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão e corrente, como conversores DC-DC e acionamento de motores. Utiliza tecnologia MOS de silício em modo de enriquecimento, sendo adequado para circuitos que exigem comutação eficiente de energia elétrica.
O componente suporta tensão dreno-fonte de até 900 V, corrente contínua de dreno de até 8 A e dissipação máxima de potência de 85 W, conforme as condições especificadas no datasheet. Apresenta resistência típica de condução de 1,1 Ω, característica relevante para o dimensionamento de perdas durante a operação.
É indicado para fontes chaveadas, conversores de potência e circuitos de acionamento, desde que sejam respeitados os limites elétricos e térmicos do componente. O datasheet da Toshiba identifica o encapsulamento como TO-3P(N); confirme se corresponde ao formato físico da peça comercializada antes de cadastrar como TO-247.
Modelo: 2SK2847
Código alternativo: K2847
Fabricante: Toshiba
Tipo: Transistor MOSFET de potência
Canal: N
Tensão máxima dreno-fonte (VDS): 900 V
Corrente contínua máxima de dreno (ID): 8 A
Corrente de dreno pulsada (IDP): 24 A
Dissipação máxima de potência: 85 W, com temperatura do encapsulamento controlada
Resistência típica em condução (RDS(on)): 1,1 Ω
Tensão máxima gate-source (VGS): ±30 V
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Encapsulamento indicado no datasheet: TO-3P(N)
Tipo de montagem: PTH (Through-Hole)
Fontes de alimentação chaveadas
Conversores DC-DC
Circuitos de chaveamento de potência
Acionamento de motores
Equipamentos industriais
Sistemas de conversão de energia
Manutenção e reposição em circuitos eletrônicos compatíveis
1x Transistor MOSFET 2SK2847 K2847 – Toshiba
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