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Transistor 2SK727 N-Channel 900V 5A Encapsulamento TO-3P

Código: 13843 Marca: Toshiba

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Transistor MOSFET 2SK727 900V 5A N-Channel TO-3P PTH

O 2SK727 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão e alta velocidade. O componente possui tensão máxima dreno-source de 900 V e corrente contínua de dreno de até 5 A, sendo indicado para fontes chaveadas, conversores DC-DC, sistemas UPS e outras aplicações de potência.

Seu encapsulamento de potência permite montagem PTH (Through Hole), sendo uma opção para projetos eletrônicos, manutenção e reposição de equipamentos que utilizam o 2SK727 ou componentes equivalentes.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: 2SK727
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Tensão Dreno-Source (VDSS): 900 V
Corrente contínua de dreno (ID): 5 A
Tensão Gate-Source (VGS): ±20 V
Resistência RDS(on): até 5 Ω
Dissipação de potência: 125 W
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Temperatura de armazenamento: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-3P / TO-3PN
Montagem: PTH / Through Hole

Os valores acima são baseados nas documentações disponíveis para o 2SK727.

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência canal N
Alta tensão de operação de até 900 V
Corrente de dreno de até 5 A
Alta velocidade de chaveamento
Baixa potência de acionamento do gate
Proteção contra avalanche
Sem ruptura secundária
Encapsulamento TO-3P para montagem PTH
Indicado para aplicações de chaveamento de alta tensão

⚙️ APLICAÇÕES

O 2SK727 pode ser utilizado em:

Fontes de alimentação chaveadas
Conversores AC/DC
Conversores DC-DC
Sistemas UPS / No-Break
Reguladores chaveados
Circuitos de controle de motores
Drivers de relés e solenoides
Circuitos de potência
Equipamentos eletrônicos industriais
Manutenção e reposição de equipamentos eletrônicos

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