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Transistor 2SK2313 N-Channel 60V 60A Encapsulamento TO-3P

Código: 13855 Marca: Toshiba

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Transistor MOSFET 2SK2313 60V 60A N-Channel TO-3P PTH – Toshiba

O 2SK2313 da Toshiba é um MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão máxima dreno-source de 60 V e corrente de dreno de até 60 A, oferecendo baixa resistência de condução e possibilidade de acionamento do gate com tensão de 4 V.

Com RDS(on) típico de apenas 8 mΩ, o 2SK2313 é indicado para aplicações que exigem baixa perda por condução, como drivers de relé, conversores DC-DC e acionamento de motores. O componente utiliza encapsulamento TO-3P(N), com 3 terminais e montagem Through Hole (PTH).

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: 2SK2313
Fabricante: Toshiba
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Modo: Enhancement
Tensão Dreno-Source (VDSS): 60 V
Tensão Gate-Source (VGSS): ±20 V
Corrente de Dreno contínua (ID): 60 A
Corrente de Dreno pulsada (IDP): 240 A
RDS(on) típico: 8 mΩ
RDS(on) máximo a VGS = 4 V: 15 mΩ
RDS(on) máximo a VGS = 10 V: 11 mΩ
Tensão de acionamento do Gate: 4 V
Tensão de limiar (Vth): 0,8 a 2,0 V
Dissipação de potência: 150 W
Energia de avalanche em pulso único: 1054 mJ
Temperatura de junção: até 150 °C
Encapsulamento: TO-3P(N) / JEITA SC-65
Número de pinos: 3
Montagem: PTH / Through Hole

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência N-Channel
Tensão máxima de 60 V
Corrente contínua de até 60 A
Corrente pulsada de até 240 A
Baixa resistência RDS(on)
RDS(on) típico de apenas 8 mΩ
Acionamento do gate com 4 V
Alta capacidade de condução de corrente
Modo de operação Enhancement
Capacidade de avalanche
Encapsulamento TO-3P(N)
3 pinos
Montagem PTH (Through Hole)

⚙️ APLICAÇÕES

O 2SK2313 é indicado pela Toshiba para aplicações como:

Drivers de relés
Conversores DC-DC
Drivers de motores
Fontes chaveadas
Circuitos de chaveamento de potência
Conversores de potência
Sistemas de alimentação
Equipamentos eletrônicos industriais
Circuitos de controle de cargas
Projetos que exigem MOSFET de baixa resistência de condução

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