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Transistor 2SK1968 N-Channel 600V 12A Encapsulamento TO-3P

Código: 13851 Marca: Toshiba

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Transistor MOSFET 2SK1968 600V 12A N-Channel TO-3P PTH – Toshiba

O 2SK1968 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão e potência. O componente possui tensão máxima dreno-source de 600 V e corrente de dreno de até 12 A, sendo indicado para circuitos de fontes chaveadas, conversores e outras aplicações de potência.

O transistor utiliza encapsulamento TO-3P com 3 terminais e montagem PTH (Through Hole), proporcionando uma solução adequada para placas eletrônicas que utilizam componentes de potência montados diretamente na placa.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: 2SK1968
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Tensão Dreno-Source (VDSS): 600 V
Corrente de Dreno (ID): 12 A
Corrente de Dreno Pulsada: 48 A
Tensão Gate-Source: ±30 V
RDS(on) máximo: 0,88 Ω
RDS(on) típico: 0,68 Ω
Dissipação de potência: 100 W
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Temperatura de armazenamento: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-3P
Número de terminais: 3
Montagem: PTH / Through Hole
Aplicação: Chaveamento de potência

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência canal N
Alta tensão de operação de até 600 V
Corrente de dreno de até 12 A
RDS(on) máximo de 0,88 Ω
Capacidade de corrente pulsada de até 48 A
Alta capacidade de chaveamento
Diodo interno entre dreno e source
Encapsulamento TO-3P
Montagem PTH (Through Hole)
Indicado para aplicações de potência e chaveamento de alta tensão

⚙️ APLICAÇÕES

O 2SK1968 pode ser utilizado em:

Fontes de alimentação chaveadas
Conversores DC/DC
Conversores de potência
Reguladores chaveados
Circuitos de chaveamento de alta tensão
Equipamentos eletrônicos industriais
Sistemas de alimentação
Circuitos de potência
Manutenção e reposição de equipamentos eletrônicos

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