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Transistor 2SK2850 N-Channel TO-3P PTH

Código: 13853 Marca: Toshiba

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Transistor MOSFET 2SK2850 900V 6A N-Channel TO-3P PTH – Toshiba

O 2SK2850 é um MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão. O componente possui tensão máxima dreno-source de 900 V e corrente contínua de dreno de até 6 A, sendo indicado para fontes chaveadas, conversores DC-DC, sistemas UPS e outras aplicações de potência.

O dispositivo utiliza encapsulamento TO-3P para montagem PTH (Through Hole), oferecendo uma solução adequada para circuitos de potência que exigem capacidade de chaveamento em alta tensão. A documentação técnica também destaca alta velocidade de chaveamento, baixa potência de acionamento e capacidade de avalanche.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: 2SK2850
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Modo: Enhancement
Tensão Dreno-Source (VDSS): 900 V
Corrente contínua de Dreno (ID): 6 A
Corrente de Dreno pulsada (IDP): 24 A
Tensão Gate-Source (VGS): ±30 V
RDS(on) máximo: 2,5 Ω
RDS(on) típico: 1,87 Ω
Dissipação máxima: 125 W
Energia máxima de avalanche: 277 mJ
Temperatura máxima de junção: +150 °C
Temperatura de armazenamento: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-3P
Montagem: PTH / Through Hole

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência canal N
Alta tensão de operação de até 900 V
Corrente contínua de até 6 A
Corrente pulsada de até 24 A
Alta velocidade de chaveamento
Baixa potência de acionamento
Capacidade de avalanche
Baixa resistência de condução para a categoria
Encapsulamento TO-3P
Montagem PTH (Through Hole)
Indicado para circuitos de chaveamento de potência

⚙️ APLICAÇÕES

O 2SK2850 pode ser utilizado em:

Fontes de alimentação chaveadas
Reguladores chaveados
Conversores DC-DC
Conversores de potência
Sistemas UPS / No-Break
Circuitos de chaveamento de alta tensão
Fontes Flyback
Equipamentos eletrônicos industriais
Circuitos de potência
Manutenção e reposição de equipamentos eletrônicos

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