BSC340N08NS3G MOSFET Canal N 80V 23A Baixa RDS(on) SMD TDSON8

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🔹 MOSFET BSC340N08NS3G 80V 23A SMD TDSON-8 – Infineon Technologies

O BSC340N08NS3G é um transistor MOSFET de potência canal N de alto desempenho, desenvolvido pela Infineon com tecnologia OptiMOS™, ideal para aplicações que exigem alta eficiência, baixa dissipação de energia e excelente confiabilidade.

Projetado para operar com até 80V e 23A, este MOSFET apresenta baixa resistência RDS(on) (~34mΩ), reduzindo perdas por condução e melhorando o rendimento em circuitos eletrônicos. Seu encapsulamento TDSON-8 (SMD) permite montagem compacta e eficiente, sendo amplamente utilizado em projetos modernos de eletrônica.


⚙️ Principais Características Técnicas:

  • Tipo: MOSFET Canal N
  • Tensão máxima (Vds): 80V
  • Corrente contínua (Id): 23A
  • Baixa resistência RDS(on): ~34mΩ
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Encapsulamento: TDSON-8 (SMD)
  • Alta eficiência energética
  • Excelente dissipação térmica
  • Comutação rápida

🔌 Aplicações:

  • Fontes chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de potência
  • Controle de motores
  • Equipamentos industriais
  • Eletrônica automotiva
  • Placas e projetos embarcados

🚀 Benefícios:

O BSC340N08NS3G oferece alto desempenho com baixo aquecimento, sendo ideal para projetos que exigem eficiência energética e confiabilidade. Sua tecnologia avançada garante maior vida útil e estabilidade mesmo em aplicações exigentes.


📄 Datasheet (Ficha Técnica):

Acesse o datasheet completo no link oficial da fabricante:
👉 https://www.digikey.com.br/en/products/detail/infineon-technologies/BSC098N10NS5ATMA1/5959915?&msclkid=a9ec5ae2203c1d19019b33273671f4e5&utm_source=bing&utm_medium=cpc&utm_campaign=Dynamic%20Search_PT_RLSA_Cart&utm_term=discrete%20semiconductor%20products&utm_content=Semiconductor%20Modules&gclid=a9ec5ae2203c1d19019b33273671f4e5&gclsrc=3p.ds&gad_source=7&gad_campaignid=22877155173


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