JCS650C MOSFET Canal N 200V 28A TO220 PTH Baixo RDS(on)

Código: 26231 Marca: Isc Semicondutores

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🔌 Transistor MOSFET JCS650C Canal N 200V 28A TO-220 PTH

O JCS650C da ISC Semiconductors é um MOSFET de canal N (N-Channel) de alta potência, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão (200V) e elevada capacidade de corrente (28A). Ideal para sistemas de potência, este componente oferece baixo RDS(on), garantindo maior eficiência energética e menor dissipação térmica.

Com encapsulamento TO-220 (PTH - Through Hole), proporciona excelente dissipação de calor e facilidade na montagem, sendo amplamente utilizado em projetos industriais, fontes chaveadas e inversores.

⚙️ Principais Características Técnicas

Tipo: MOSFET Canal N (N-Channel)
Tensão Dreno-Source (Vds): 200V
Corrente de Dreno (Id): 28A
Baixa resistência RDS(on) (alta eficiência)
Encapsulamento: TO-220 (PTH)
Alta capacidade de dissipação térmica
Alta velocidade de comutação
Ideal para aplicações de média e alta potência

🚀 Aplicações Comuns

Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores de potência
Controle de motores
Sistemas industriais
Conversores DC-DC
Equipamentos de automação

💡 Vantagens do JCS650C

✔ Alta capacidade de corrente (28A)
✔ Suporte a tensões elevadas (200V)
✔ Excelente dissipação térmica (TO-220)
✔ Alta confiabilidade para aplicações exigentes
✔ Versátil para projetos industriais e comerciais

📦 Informações Adicionais

Código: JCS650C
Marca: ISC Semicondutores
Categoria: Transistores / MOSFETs
Montagem: PTH (Through Hole)
Encapsulamento: TO-220

📄 Datasheet (Ficha Técnica)

Para especificações completas, curvas e características detalhadas, acesse o datasheet:
🔗 https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/410934/JSMC/JCS650.html

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